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EAS測試管控關(guān)鍵參數(shù)Ias,Rate BV
2021-09-14
峰值擊穿電壓Rate BVDSS,峰值沖擊電流IAS 通過設(shè)定的Vgs,Ias,L,Vdd等參數(shù),監(jiān)控在通過設(shè)定的雪崩能量下,實際至少能吸收的峰值電壓,以保證在抗雪崩狀態(tài)下電路能繼續(xù)安全工作。
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抗雪崩能力測試電路
2021-09-14
器件承受的雪崩能量收到結(jié)溫影響,負載電感越大,瞬間要釋放的能量就越大,釋放過程中結(jié)溫上升也就越快,從而就越容易擊穿。也就是說負載電感越大,IAS越小,允許的正常工作電流也就越小。
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雪崩能力EAS
2021-09-14
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導通電阻RDS(on): On Resistance
2021-09-14
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閾值電壓的負溫度特性
2021-09-14
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開啟電壓Vth: Thread Voltage
2021-09-14
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漏電流:IDSS源漏漏電流、IGSS柵源漏電流
2021-09-14
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漏源導通額定電流ID
2021-09-14
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BVDSS Breakdown Voltage 漏源耐壓
2021-09-14
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RDS(on) test method for NMOS
2020-05-22
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